Micro LED 优势明显，商业化可期。Micro LED 是将传统 LED 结构进行矩阵化、微缩化，尺寸缩小至 1~10μm，通过巨量转移将固晶转移到基板上后，再利用物理沉积完成保护层和电极，最后封装而成的。相比传统 LCD、OLED，Micro LED 具有高解析度、低功耗、高亮度、高对比、高色彩饱和度、反应速度快、厚度薄、寿命长等特性，功率消耗量可低至 LCD 的 10%、OLED 的 50%。Micro LED 被公认为未来显示技术的主流方向，目前尚处于研发阶段，新兴应用市场需求增长驱动下，大规模商业化有望加速落地。 

图1：Micro LED 将LED 结构微缩化 

资料来源：Trendforce，国海证券研究所 

表1：Micro LED 与传统LCD、Mini LED 背光、OLED 显示技术对比 

巨量转移技术是提高晶粒转移良率和精度、制约Micro LED 量产的关键。巨量转移是将数百万甚至数千万颗微米级的 LED 晶粒快速且精准地转移到驱动电路基板上，并与驱动电路之间形成良好的电气连接和机械固定的过程。随着 LED芯片尺寸的缩小，单位面积 LED 数量成倍增长，以 4K 屏幕为例，若以3840*2160RGB 三色计算，需要转移的微米级芯片数量高达 2400 多万颗，传统的Pick-place 的机械转移方法无法保证精度和良率。如何实现99.9999%的转移良率，且将每颗芯片的精准度控制在±0.5μm 以内，是巨量转移技术的主要难点，使其成为当前限制Micro LED 大规模商业化的瓶颈技术。 

图2：巨量转移过程 

资料来源：Yole Développement，国海证券研究所 

激光剥离转移技术是目前巨量转移技术中最有潜力的技术路线。目前发展的若干巨量转移技术中，激光剥离转移技术是少有的可以达到 100M/h 转移效率的同时，还能保障精度的技术方案，可用于任何尺寸版面板的转移，且在修复方面具有优势，可以与坏点剔除工艺相匹配，利于提高良率。 

表2：不同巨量转移技术路线对比 

资料来源：《Micro LED 巨量转移技术的研究进展》（曹文贤，2021），《Xerographic MicroAssembly Printer for LEDs and Beyond》（Eugene M. Chow 等，2019），《Stretchable Active Matrix Inorganic Light-Emitting Diode Display Enabled by Overlay-Aligned Roll-Transfer Printing》（Minwoo Choi 等，2017），《Flexible and Stretchable Micro-LED Display》（Luhing Hu 等，2022），国海证券研究所 

巨量转移设备国产化加速。巨量转移设备技术含量高，单机价值量占产业链中设备总价值量的比重较高。目前我国巨量转移设备主要依赖进口，国产化的推进有助于降低Micro LED 应用成本，加速大规模商业化进程。国内厂商中，先导智能自主研发的Micro LED 激光巨量转移设备于 2022 年 8 月顺利出货，进入工艺验证阶段；2022 年9 月，海目星首批 Micro LED 巨量转移设备顺利出货，良率可达99.99%以上，效率25-100kk/h；大族激光Micro LED 巨量转移设备已通过客户验证，实现销售；利亚德激光巨量转移设备良率已从投产时的 98.9%提升至99.995%；德龙激光自主研发的激光剥离技术，可支持最小晶粒尺寸 10μm，最小晶粒间隔5μm。 

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